Taşıt Teknolojileri Elektronik Dergisi

Son Sayı Arşiv

Makale Adı Sıvı Silisyum İnfitrasyon Yöntemi Kullanılarak C/C- Sic Kompozitin Üretimi Üzerine Genel Bakış
Yazar Adı Harun Yıldırım*, İbrahim Mutlu**
Adres *Kocaeli Üniversitesi Teknoloji Fakültesi Otomotiv Mühendisliği Bölümü, KOCAELİ ** Afyon Kocatepe Üniversitesi Teknoloji Fakültesi Otomotiv Mühendisliği Bölümü, AFYONKARAHİSAR
Özet  Sıvı silisyum infiltrasyonu (LSI), C/C-SiCkompozitlerin üretim proseslerinden biridir. Bu makalede C/C-SiC kompozitlerin mikroyapısı ve mekanik özellikleri incelenmiştir. Yüksek hızlı ve ağır vasıtalı araçların fren sistemleri oldukça yüksek hızlara ve farklı termal gerilmelere maruz kalabilmektedir. Bu durumda termal dirençi yüksek, oksidasyona dirençli ve tribolojik özellikleri çok iyi kompozit bir malzemeye ihtiyaç vardır. Karbon fiber takviyeli seramik matriksinin (CMC) yüksek sıcaklıklardaki yapısal dayanımı ve korozif ortamlarda çalışabilme özelliğine sahip ileri teknoloji gereksinimi karşılayan kompozit çeşitlerindendir. C/C-SiC kompozitler bu seramiklerden biridir. C/C-SiCkompozitler yüksek termal kararlılık ve abrasyon direncine sahiplerdir.
Yayın Yeri Taşıt Teknolojileri Elektronik Dergisi (TATED)
Cilt 4
Sayı 3
Sayfa 9-14
Yıl 2012
Türü Makale
Dili Türkçe
İndir Bu makaleyi İNDİR!!!  İndirBu makale 22 kez indirilmiştir.